پاور الیکٹرانک ٹرانسفارمر میں اعلی فریکوینسی ٹرانسفارمر کا کام کرنے والا پرکیپل کیا ہے؟
Aug 12, 2019
ایک پیغام چھوڑیں۔
1. اعلی - تعدد ٹرانسفارمرز کا تعارف
A اعلی - تعدد ٹرانسفارمر (HFT)ایک خصوصی قسم کا ٹرانسفارمر ہے جو کام کرنے کے لئے ڈیزائن کیا گیا ہےتعدد عام طور پر 10 کلو ہرٹز سے اوپر ہے، روایتی پاور ٹرانسفارمرز کے برخلاف جو کام کرتے ہیں50 ہرٹج یا 60 ہرٹج. ان کی اعلی آپریٹنگ فریکوئنسی کی وجہ سے ، HFTs ہیںچھوٹا ، ہلکا اور زیادہ موثر، ان کو جدید پاور الیکٹرانکس میں ضروری بنانا ، بشمول:
- سوئچ - موڈ پاور سپلائی (ایس ایم پی ایس)
- DC - DC کنورٹرز
- انورٹرز (شمسی ، یو پی ایس ، ای وی چارجرز)
- وائرلیس پاور ٹرانسفر (کیوئ اسٹینڈرڈ)
- آریف اور ٹیلی مواصلات
2. بنیادی آپریٹنگ اصول
اعلی - تعدد ٹرانسفارمر پر مبنی کام کرتے ہیںالیکٹرو میگنیٹک انڈکشن کا فراڈے کا قانون، روایتی ٹرانسفارمرز کی طرح۔ تاہم ، اعلی - تعدد اثرات کی وجہ سے ان کا طرز عمل نمایاں طور پر مختلف ہے۔
2.1 بنیادی برقی مقناطیسی انڈکشن
- جب ایکبدلاؤ موجودہ (AC)کے ذریعے بہتا ہےپرائمری سمیٹ (N₁)، یہ پیدا کرتا ہے aوقت - مختلف مقناطیسی بہاؤ (φ)کور میں
- یہ بدلنے والا بہاؤ میں وولٹیج کو اکساتا ہےثانوی سمیٹ (N₂)کے مطابق:

جہاں:
○ v1=پرائمری وولٹیج
○V2=ثانوی وولٹیج
○ N1 ، N2=موڑ کی تعداد
2.2 کلیدی اعلی - تعدد مظاہر
skin سکن اثر
high اعلی تعدد پر ، موجودہ بہاؤ زیادہ تر کنڈکٹر کی سطح کے قریب ہوتا ہے ، جس میں اضافہ ہوتا ہےموثر مزاحمت (RAC> RDC).
○ حل:استعمال کریںلیٹز تار (ایک سے زیادہ پتلی اسٹینڈز)یافلیٹ تانبے کے ورقنقصانات کو کم کرنے کے لئے.
proximity اثر
account ملحقہ کنڈکٹر مخالف مقناطیسی شعبوں کی تشکیل کرتے ہیں ، جس سے موجودہ کو ایک طرف ہجوم پر مجبور کیا جاتا ہے۔
○ حل:سمیٹنے والی ترتیب کو بہتر بنائیں (جیسے ، انٹرلیویڈ یا پرتوں والی سمیٹ)۔
loss core نقصان (ہسٹریسیس اور ایڈی کرنٹ)
his ہسٹریسیس کا نقصان(مقناطیسی بحالی کی وجہ سے توانائی کھو گئی)۔
○ ایڈی موجودہ نقصان(کور میں دھارے گردش کرتے ہیں)۔
○ حل:استعمال کریںکم - نقصان فیرائٹ ، نانو کرسٹل لائن ، یا پاوڈر لوہے کے کور.
para پیراسیٹک کیپسیٹینس اور رساو انڈکٹینس
wind سمیٹ اور رساو بہاؤ کے مابین آوارہ گنجائش کارکردگی کو کم کرتی ہے۔
○ حل:استعمال کریںشیلڈڈ سمیٹنگ ، پلانر ٹرانسفارمر ، یا گونج ٹوپولوجیز.
3. اعلی - تعدد ٹرانسفارمرز کے لئے بنیادی مواد
| مواد | تعدد کی حد | فوائد | نقصانات |
|---|---|---|---|
| فیرائٹ (mn - Zn/ni - zn) | 10 کلو ہرٹز - 1 میگاہرٹز | کم نقصان ، لاگت - موثر | کم سنترپتی بہاؤ (~ 0.4 T) |
| نانو کرسٹل لائن | 10 کلو ہرٹز - 500 کلو ہرٹز | الٹرا - کم نقصان ، اعلی پارگمیتا | مہنگا |
| امورفوس دھات | 10 کلو ہرٹز - 100 کلو ہرٹز | کم ہسٹریسیس نقصان | آسانی سے ، محدود دستیابی |
| پاوڈر لوہا | 50 کلو ہرٹز - 1 میگاہرٹز | اعلی سنترپتی ، فلٹرز کے لئے اچھا ہے | فیرائٹ سے زیادہ بنیادی نقصان |
4. اعلی - تعدد ٹرانسفارمرز کی درخواستیں
①Switch - موڈ پاور سپلائی (ایس ایم پی ایس)
lap لیپ ٹاپ ، فون چارجرز میں استعمال کیا جاتا ہے (جیسے ، USB - C PD)۔
○ عام تعدد:50 کلو ہرٹز - 500 کلو ہرٹز.
②DC - DC کنورٹرز (ہرن/بوسٹ/فلائی بیک)
rene قابل تجدید توانائی کے نظام میں ○ مرحلہ - اوپر/نیچے وولٹیج۔
less وائرلیس پاور ٹرانسفر (کیوئ ، A4WP)
at پر گونجنے والا دلیل جوڑے100 کلو ہرٹز - 1 میگاہرٹز.
④RF اور ٹیلی کام (تنہائی ٹرانسفارمر)
sigh اعلی - اسپیڈ ڈیٹا ٹرانسمیشن میں سگنل تنہائی۔
5. موازنہ: اعلی - تعدد بمقابلہ کم - تعدد ٹرانسفارمر
| پیرامیٹر | اعلی - تعدد ٹرانسفارمر | کم - تعدد ٹرانسفارمر |
|---|---|---|
| تعدد کی حد | 10 کلو ہرٹز - 1 میگاہرٹز | 50 ہرٹج - 60 ہرٹج |
| بنیادی مواد | فیرائٹ ، نانو کرسٹل لائن | سلکان اسٹیل |
| سائز اور وزن | چھوٹا ، ہلکا پھلکا | بڑا ، بھاری |
| کارکردگی | >90 ٪ (ڈیزائن پر منحصر ہے) | ~ 95 ٪ (زیادہ بوجھ پر کم) |
| کلیدی چیلنجز | جلد کا اثر ، بنیادی نقصانات | بلکنس ، کم بجلی کی کثافت |
6. اعلی - تعدد ٹرانسفارمرز میں مستقبل کے رجحانات
high اعلی تعدد (میگاہرٹز+)
by بذریعہ فعالگان (گیلیم نائٹریڈ) اور ایس آئی سی (سلیکن کاربائڈ)پاور ڈیوائسز۔
پلانار اور انٹیگریٹڈ ٹرانسفارمر
کمپیکٹ پاور ماڈیولز کے لئے پی سی بی - ایمبیڈڈ ڈیزائن۔
مقناطیسی ماد .ہ
lower کم نقصانات کے ل na نانو کرسٹل لائن اور میٹومیٹیرلز۔
ig ڈیجیٹل کنٹرول اور اے آئی کی اصلاح
maximum زیادہ سے زیادہ کارکردگی کے لئے انکولی تعدد ٹیوننگ۔
7. نتیجہ
اعلی - تعدد ٹرانسفارمر بیعانہبرقی مقناطیسی انڈکشنلیکن جیسے انوکھے چیلنجوں کا سامنا کرنا پڑتا ہےجلد کا اثر ، بنیادی نقصانات ، اور پرجیوی. استعمال کرکےخصوصی بنیادی مواد (فیریٹ ، نانوکریسٹل لائن) اور سمیٹنے کی بہتر تکنیک، وہ جدید الیکٹرانکس میں کمپیکٹ ، موثر طاقت کے تبادلوں کو اہل بناتے ہیں۔ مستقبل میں پیشرفتوسیع - بینڈ گیپ سیمیکمڈکٹرز (GAN/SIC) اور ڈیجیٹل کنٹرولاس میں ان کی کارکردگی کو مزید بڑھا دے گاقابل تجدید توانائی ، ای وی ، اور 5 جی/6 جی سسٹم.
مزید معلومات کے لئے ، براہ کرم ہم سے رابطہ کریںsales@xfullstar.com
